SK하이닉스가 초고속 데이터 처리가 가능한 차세대 D램 'HBM2E' 개발에 성공했다. 기존 D램과 비교해 데이터 처리 속도가 혁신적으로 높아졌으며, 이전 HBM2 규격의 D램 대비해도 처리속도가 50% 높아졌다.

SK하이닉스가 8일 발표한 최고속 ‘HBM2E’ D램은 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현해, 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GB의 데이터 처리를 할 수 있다. 이는 풀HD급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.

HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI 등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다. HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 통상적 방식이 아니라, 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십um(마이크로미터) 간격 수준으로 촘촘이 장착할 수 있는 것이 특징이다. 이에 따라 칩간 거리를 단축시켜 더욱 빠른 데이터 처리가 가능하다는 것이 회사측 설명이다.

전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 “SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다”며 “HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 해, 프리미엄 메모리 시장 리더십을 지속 강화해 나가겠다”고 밝혔다.

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