NXP 반도체는 설계와 제조 공정을 단순화시키는 신규 파워 솔루션(power solutions) MRF300AN과 MRF101AN 두 가지를 발표했다고 밝혔다.

새 솔루션에는 TO-220패키지에 포함된 100와트(W) MRF101AN 트랜지스터와 TO247 패키지에 포함된 300와트(W) MRF300AN 트랜지스터가 포함되어 있다. 기존의 고-파워 RF용 플라스틱 패키지는 정확한 솔더 리플로우(solder reflow) 공정을 필요로 한다. 반면 신제품 트랜지스터는 표준 스루홀(through-hole) 기술을 사용해 PCB에 조립할 수 있어 비용이 절감된다. 트랜지스터를 섀시에 수직으로 장착하거나 PCB 아래 등 보다 창의적이고 다양한 방식으로 장착해 방열(Heatsinking)을 간소화할 수 있다. 이로 인해 여러 기계적 설계 옵션이 가능해져, 부품 원가(BOM)를 낮추고 출시 시간을 단축할 수 있다.

MRF300AN은 40.68MHz에서 28 데시벨(dB) 게인(gain), 79 퍼센트 효율로330W 연속파(CW)를 출력한다. 이 제품은 엄격한 산업용 애플리케이션으로 설계되었으며, 65:1 전압 정재파 비(voltage standing wave ratio, VSWR)를 견딜 수 있다.

비용 효율적인 PCB 소재를 사용하는 2x3 인치(5.1x7.1cm) 파워 블록 레퍼런스 설계가 이러한 성능을 지원한다. PCB 레이아웃을 변경할 필요 없이 코일이나 개별 부품만 일부 변경해 1.8~250MHz에 이르는 다양한 주파수를 지원하도록 조정할 수 있다. 이는 RF 설계자가 새로운 시장을 겨냥한 파워 증폭기의 설계 주기를 단축할 수 있게 한다.

각 트랜지스터는 유연성을 높이기 위해 MRF101BN의 경우 MRF101AN의 핀 배열을 미러링해 효율성을 저해하지 않으면서 광대역 애플리케이션을 소화할 수 있는 소형 푸시-풀(push-pull) 레이아웃을 구현한다. MRF101AN과 MRF300AN은 HF 및 VHF 통신과 ISM(Industrial Scientific Medical) 애플리케이션을 위한 제품이다. 이 기술은 기존 솔루션보다 높은 주파수에서 스위칭 할 수 있어 BOM의 다른 구성 요소를 절감한다.

이향선기자 hslee@nextdaily.co.kr